hansseng
Geregistreerd op: 8-3-2010 Berichten: 2 Woonplaats: Ronse
|
Geplaatst: Ma 8 Mrt 2010, 23:59 Onderwerp: Transistor in GES instellen... |
|
|
Ik heb een hoop problemen bij het begrijpen van de DC instelling van een transistor in GES.
Wat ik niet begrijp is hoe ik aan de correcte Instelling kom.
Om het nader uit te leggen, ik start van het volgende:
Ic: 2mA
Uv: 12V
Klassa A instelling, dus Uce=6V
Ure ongeveer Uv/10, ik nam 1V
Dus Urc = Uv - Ure - Uce = 5V
Ur2 = Ure + Ube = 1V + 0,7V = 1,7V
Ur1 = Uv - Ur2 = 12 - 1,7V = 10,3V
Ib = Ic / Hfe = 2mA / 520 = 3,8µA
R1 = 10,3V / (11*Ib) = 246K
R2 = 1,7 / (10*Ib) = 44K7
Re = 1V/2mA = 500 Ohm
Rc = 5V/2mA = 2K5
Enkele vragen uiteraard:
2mA voor een BC548C, kan dit ???
In iedere datasheet zie ik staan dat deze getest werden op 2mA 5V Uce ???
Als ik naar karakteristieken kijk, dan vermoed ik meer in de aard van 40mA Ic ipv 2 en een 150µA of meer voor Ib. Merkwaardig maar waar, op 2mA Ic stroom heb ik een versterking van 100 ????
Als we een werkpunt in klasse A kiezen, dan neem ik een vertikale op punt 6V in de datasheet, ik kom uit dat ik veel hoger moet gaan dan 2mA Ic en Ib van 3,8µA. Die 2mA komt van de leerkracht. Kan iemand mij helpen om dit te verduidelijken ? alvast bedankt !!!
|
|